收藏本站
Si7958DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.030
25 °C, unless otherwise noted
4000
3500
0.025
3000
C iss
0.020
0.015
V GS = 4.5 V
2500
2000
0.010
V GS = 10 V
1500
0.005
0.000
1000
500
0
C oss
C rss
0.0
8.0
16.0
24.0
32.0
40.0
0
8
16
24
32
40
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 20 V
I D = 11.3 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 11.3 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
10
20
30
40
50
-
50
-
25
0
25
50
75
100
125
150
40
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.05
0.04
0.03
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 11.3 A
0.02
T J = 25 °C
0.01
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72661
S09-0223-Rev. C, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7964DP-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC
SI7994DP-T1-GE3 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC
SI7997DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
SI7998DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC
SI8405DB-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
SI8417DB-T2-E1 MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP
SI8439DB-T1-E1 MOSFET P-CH 8V D-S MICROFOOT
SI8441DB-T2-E1 MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
相关代理商/技术参数
SI7960DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7960DP-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7960DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 60V 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7962DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7962DP-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7962DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7964DP-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7964DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 9.6A 3.5W 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员